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鎧俠開發(fā)NIL半導體工藝 可以不使用EUV光刻機工藝直達5nm

來源:快科技

在半導體工藝進入10nm節(jié)點之后,EUV工藝是少不了的,但是EUV光刻機價格高達10億一臺,而且產量有限,導致芯片生產成本很高。日本鎧俠公司現在聯(lián)合伙伴開發(fā)了新的工藝,可以不使用EUV光刻機,工藝直達5nm。

據據日媒報導,鎧俠從2017年開始與半導體設備廠佳能,以及光罩、模板等半導體零組件制造商DNP合作,在日本三重縣四日市的鎧俠工廠內研發(fā)納米壓印微影技術(NIL)的量產技術,鎧俠已掌握15nm量產技術,目前正在進行15nm以下技術研發(fā),預計2025年達成。

與目前已實用化的極紫外光(EUV)半導體制程細微化技術相比,NIL更加減少耗能且大幅降低設備成本。

因NIL的微影制程較單純,耗電量可壓低至EUV生產方式的10%,并讓設備投資降低至40%。

而EUV設備由ASML獨家生產供應,不但價格高,且需要許多檢測設備配合。

目前NIL在量產上仍有不少問題有待解決,包括更容易因細微塵埃而形成瑕疵等問題。

如果鎧俠能成功率先引進NIL量產技術,可望彌補在設備投資競賽中的不利局面,又能符合減少碳排放的需求。

對鎧俠來說,NAND組件采取3D堆疊立體結構,更容易因應NIL技術的微影制程。

鎧俠表示,已解決NIL的基本技術問題,正在完善量產技術,希望能率先引入NAND生產。

根據DNP說法,NIL技術電路精細程度可達5nm,DNP從2021年春起,根據設備的規(guī)格值進行內部仿真。

DNP透露,從半導體制造商詢問增加,顯示不少廠商對NIL技術寄予厚望。

而佳能則致力于將NIL技術廣泛應用于制作DRAM及PC用CPU等邏輯IC的設備,供應多種類型的半導體制造商,將來也希望能應用于手機應用處理器等最先進制程。

標簽: 鎧俠公司 EUV光刻機 生產成本 EUV工藝

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